光敏晶體管的伏安特性光敏晶體管在光不同照度下的伏安特性曲線
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光敏晶體管的基本結構光敏晶體管多采用N型硅單晶NPN結構，并且在工藝上將 基區(qū)面積制作的較大，發(fā)射區(qū)面積較小.這種特殊結構，能使人射光多數被基區(qū)吸收。當光 敏晶體管集電極施加正電壓、基區(qū)開路時，即集電極工作于反向偏置狀態(tài)，光照射到基區(qū)就 會激發(fā)出光生電子空穴對，光生電子被拉到集電區(qū)，而空穴則滯留在基區(qū)靠近發(fā)射結的一邊， 使發(fā)射結的電壓升高，形成輸出電流，并且集電區(qū)輸出電流為光生電流的p倍。這樣，光敏 晶體管就完成了光電轉換。
光敏晶體管可以制成多種類型的光敏傳感器，其輸出電路簡單，輸出電流較大，尤其在 低頻光敏傳感器電路中廣泛應用。
(1)光敏晶體管有一個最佳靈敏度峰值波長。當入射光的波長偏離峰值波長時，光敏晶體管的靈敏 度將顯著減小。這是因為當人射光的波長較短時，光子在半導體表面就被吸收掉，并且光子 在半導體表面激發(fā)出的電子空穴對也不能到達PN結，所以相對靈敏度就較低;而當人射光的 波長較長時，由于光子的能量較小，不足以激發(fā)出電子空穴對，所以相對靈敏度也較低.
(2)光敏晶體管的伏安特性光敏晶體管 在光不同照度下的伏安特性曲線，如同普通晶 體晶體管在不同基極電流作用下的輸出特性曲 線一樣。因此，可以將人射光在發(fā)射結上所產生 的光生電流比作基極電流，這樣就可將光敏晶 體管看作普通晶體晶體管進行分析了。光敏晶 體管能把光信號轉換成電信號，而且輸出的電信號較大。
